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行业资讯

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  • 喷涂用铜镶钨电极技术优势

    在现代工业生产中，为了提高产能以及效率对材料的要求也就越来越高。预防材料过早失效的方法有很多，表面改质或者表面涂层的方式都有使用。常用的表面涂层技术是热喷涂技术。热喷涂主要有以下几种技术路线：1）火焰喷涂技术，2）电弧喷涂技术，3）
    发布时间：2020-09-09   点击次数：349

  • 等离子喷涂工艺（下）

    上篇介绍了影响涂层质量的工艺参数中主要因素有等离子气体、电弧的功率以及送粉。这篇文章将继续介绍喷涂间隔和喷涂角、喷枪与工件的相对运动速度和基体温度操控因素。④喷涂间隔和喷涂角:喷枪到工件的间隔影响喷涂粒子和基体碰击时的速度和温度,涂层的特征
    发布时间：2020-09-02   点击次数：211

  • 等离子喷涂工艺（上）

    在等离子喷涂进程中,影响涂层质量的工艺参数很多,这片主要介绍前三个，分别是:①等离子气体:气体的挑选准则首要依据是可用性和经济性,N2气廉价,且离子焰热焓高,传热快,利于粉末的加热和熔化,但关于易发作氮化反响的粉末或基体则不可选用。Ar气电
    发布时间：2020-08-31   点击次数：223

  • 等离子喷涂电极的材料比较

    钍钨电极是最早使用的稀土钨电极，也是焊接性能极好的钨电极品种，因此，在全球范围内该品种钨电极市场占有率最高。但因为钍钨电极在粉末冶金和压延磨抛过程中会发生放射性污染，因此欧美国家限制生产该品种电极，在瑞士等国已经不再允许使用，Plansee
    发布时间：2020-08-25   点击次数：281

  • 等离子喷涂涂层及应用

    等离子喷涂涂层依其主要用途可以分为保护性涂层和功能性涂层两大类，在耐磨涂层、耐蚀涂层等传统领域的应用已经较为广泛。后来应用领域由航空、航天扩展到了钢铁工业、汽车制造、石油化工、纺织机械、船舶等领域。近年来，等离子喷涂技术在高新技术领域如纳米
    发布时间：2020-08-07   点击次数：493

  • 等离子喷涂喷嘴/电极的环保和高性能

    我们的钨铜等离子喷咀和电极可轻松解决一项挑战。利用背铸技术，我们能够获得极可靠的钨铜连接。我们的喷咀确保最佳传热效果，并且能承受最极端的机械应力。最佳材料性能—更长的使用寿命由于钨的熔点高，可确保即使在裸露的尖部产生的高温也不会损坏喷咀。钨
    发布时间：2020-08-05   点击次数：601

  • 等离子喷涂电极原理

    等离子喷涂电极原理　原理是通过等离子喷枪(又称等离子弧发生器)产生等离子焰流。喷枪的钨电极(阴极)和喷嘴(阳极)分别接电源负极和正极(工件不带电)，通过高频火花引燃电弧，使供给喷枪的工作气体(Ar或N2)在电弧的作用下电离成等离子体。在机械
    发布时间：2020-07-15   点击次数：400

  • 等离子电极烧坏的因素有哪些？

    第一电极是多大的？电极不能小于等离子功率。第二就是板子厚度不能超过等离子电源承受。第三除了操作原因还有就是一般是割嘴质量太差枪头的配件重要部分要原装的哦极的损毁要说个概率的，如果切割机每天都在工作，一周的时间里损坏3-4个也算正
    发布时间：2020-06-23   点击次数：590

  • 热喷涂系列之等离子喷涂

    热喷涂的工艺方法有很多种，其中应用较广泛的方法有火焰喷涂、电弧喷涂、等离子喷涂（APS）、爆炸喷涂，近年来又发展了超音速喷涂（HVOF）技术。等离子体是一个广义的概念。自然界除了固、液、气3种物质形态外,还存在物质的第4态—等离子体。等离子
    发布时间：2020-06-19   点击次数：897

  • 等离子喷涂电极技术介绍

    等离子喷涂电极技术介绍：近几年来，在等离子喷涂的基础上又发展了几种新的等离子喷涂技术，如：1、真空等离子喷涂（又叫低压等离子喷涂）真空等离子喷涂电极是在气氛可控的，4～40Kpa的密封室内进行喷涂的技术。因为工作气体等离子化后，是在低压气氛
    发布时间：2020-06-08   点击次数：434

  • 等离子喷涂电极的优点有哪些？

    等离子喷涂是一种材料表面强化和表面改性的技术，可以使基体表面具有耐磨、耐蚀、耐高温氧化、电绝缘、隔热、防辐射、减磨和密封等性能。等离子喷涂技术是采用由直流电驱动的等离子电弧作为热源，将陶瓷、合金、金属等材料加热到熔融或半熔融状态，并以高速
    发布时间：2020-05-31   点击次数：409

  • 铼的发现历程及存在形式

    发现历程：铼（Rhenium）的名称源自拉丁文Rhenus，意为莱茵河。[3]铼是拥有稳定同位素的元素中最后一个被发现的（之后科学家发现了其他没有稳定同位素的放射性元素，如镎和钚等）。德米特里·门捷列夫在发布元素周期表时，就预测了这一元素的
    发布时间：2020-05-07   点击次数：900

  • MOCVD的系统简介

    MOCVD是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。通常MOCVD系统中的晶体生长都是在常压或低
    发布时间：2020-05-07   点击次数：411
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