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MOCVD

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MOCVD

MOCVD

MOCVD即金属有机化合物化学气相沉淀,是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。铼因其优异的高温性能,作为MOCVD的关键加热部件使用。相比其它材料,纯铼加热部件具有电学性能更优、寿命更长、更耐恶劣工作气氛的显著特点而受到用户的青睐。

纯度:≥99.99%

MOCVD杂质含量表

元素 

含量 ,%)

元素 

含量 ,%)

元素 

含量 ,%)

Na

0.0005

Ni

0.0001

Bi

0.0001

Mg

0.0001

Cu

0.0001

Co

0.0001

Al

0.0001

Zn

0.0005

Fe

0.0005

Si

0.0005

As

0.0001

Pb

0.0001

P

0.0005

Zr

0.0001

Mn

0.0001

K

0.0005

Mo

0.0005

W

0.0005

Ca

0.0005

Cd

0.0001

Cr

0.0001

Ti

0.0001

Sn

0.0001

Ta

0.0001

V

0.0001

Sb

0.0001

——

——


MOCVD.png

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